开漏极

开漏极就是漏极开路,漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路,可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。

开漏极就是漏极开路,漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路,可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。

特点

组成开漏形式的电路有以下几个特点

1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。

2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。

4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。

5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。2100433B

开漏极造价信息

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开漏极常见问题

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开漏极文献

共漏极双功率MOSFET封装研究 共漏极双功率MOSFET封装研究

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针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。

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三极与四极漏电保护器的简单分析 三极与四极漏电保护器的简单分析

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三极与四极漏电保护器的简单分析 三极与四极漏电保护器的简单分析 低压配电系统中装设漏电保护器是防止人身触电的有效措 施,也可以防止因漏电而引发的电气火灾及设备损坏事故。 漏电保护器一般分为一极、二极、三极、四极。其中一极、 二极漏电保护器的结构原理图,它们的主要区别在于当漏电 事故发生时是否断开零线。其工作原理均为通过检测相线、 零线电流的相量和是否为零来判定是否有漏电事故发生。讨 论的重点是三极、四极漏电保护器的工作原理与应用场合的 差异。 我查阅一些厂家提供的三、四极漏电保护器结构原理图时 发现一些问题,源自某国产品牌开关制造商产品资料,源自 某进口品牌开关制造商产品资料。我们发现二者的四极漏电 保护器的结构原理图并无区别,但三极漏电保护的结构原理 图却存在重大不同,并由此引发其使用也有重大区别。 在分析之前,需要明确一个概念,即“负载三相平衡”。 在三相交流电系统中,负载三相平衡时,

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1.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动, 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

2.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。  

3.由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。  

4.源极开路提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出 。2100433B

漏极概述

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者

在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两P区连起来,就构成了一个场效应管。

N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极和漏极,很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路--源极输出器

栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。

开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。

同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。

开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。

一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。

完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

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