集成二极管

简介：

（a）B-C短路（VBC=0）的二极管（发射结二极管）：

因为在这种结构中，晶体管的集电结实际上并不起作用，因此，不存在衬底的寄生p-n-p管的影响（参见图3-27）；而且晶体管也不可能进入过饱和状态（因为集电结电压始终为0），则开关的存储时间很短，从而二极管的开关速度最快；同时，这时的晶体管实际上是处于临界饱和状态（发射结正偏、集电结0偏），故交流电阻较小，正向压降也较低。此外，由于发射区掺杂浓度很高，则该二极管的最高工作温度较高、反向饱和电流也较小。所以，这种二极管在IC中用得最多。DTL电路的输入门二极管一般就都采用这种二极管。

（b）C-E短路（VCE=0）的二极管：

当这种二极管导通时，晶体管的两个p-n结都是正偏的，即晶体管处于饱和状态，则将在基区和集电区中产生大量的少数载流子的过量存储电荷，故这种二极管开关的存储时间很长，可用作为电荷存储管；而且这是两个p-n结并联的二极管，势垒电容较大；同时，这里由于集电结的正偏也将导致出现寄生p-n-p管效应。所以，这种二极管的性能较差，一般不用。

（c）B-E短路（VBE=0）的二极管（集电结二极管）：

该集成二极管的最大特点是击穿电压较高（因为集电区的掺杂浓度较低，击穿电压可大于20V）。但是当二极管在工作时，就相当于晶体管处于反向临界饱和状态，则将由于集电结正偏，而导致出现寄生p-n-p管效应。因此，这种二极管一般少有使用。

（d）集电极开路（IC=0）的二极管（发射结二极管）：

当这种二极管导通工作时，晶体管的发射结正偏，即向基区注入少数载流子，同时，由于这些载流子又不能流出集电极，则将导致集电结上产生出较大的浮空电势（正偏），从而在基区中有大量的存储电荷，使得二极管的开关速度较低；并且，由于集电结的这种正偏作用也将产生寄生p-n-p管效应。此外，由于发射区掺杂浓度很高，则二极管的正向压降较高；同时，二极管的寄生端电容较小。一般，这种发射结二极管在电路中作电平位移用。

（e）发射极开路（IE=0）的二极管（集电结二极管）：

这种二极管在工作时，其内部载流子的分布状况与集电极开路的发射结二极管基本相同，因此其特性也相差不大，即二极管的存储时间较长，并且也存在寄生p-n-p管效应。不过，这种二极管的击穿电压较高（大于20V）。该二极管一般少有使用。

（f）单独的集电结二极管：

这种二极管的特点是面积小（因为不需要发射结），正向压降也低（中等），耐压又高，而且势垒电容和寄生端电容都较小。所以这种二极管在IC中也用得较多。

总之，在IC中用得最多的集成二极管是两种，即B-C短路的发射结二极管和单独的集电结二极管。其它型式的二极管一般用得较少。

正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压（正向偏置电压），只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。

反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压（反向偏置电压），二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。

稳压二极管具有反向击穿的特性，快恢复二极管相当于两个稳压二极管。

现在生产的多频彩显，其行输出电路采用了双阻尼二极管，而且两个阻尼二极管常组合在一起(一般和行输出管一起固定在同一散热片上)，成为一个独立的元件，有3个引出脚，外型极像三极管，维修寸应注意区分。这种二极管的外型结构及电路符号如图2所示。

联想1569数控彩显、飞利浦107S数控彩显就采用了此类复合二极管作为行输出电路的双阻尼二极管，其型号为DWV328。采用双阻尼二极管的彩显还有很多，若手头没有此类二极管，可用两只高频高反压快恢复二极管进行代换，但应注意两只二极管的连接应正确。

阻尼二极管的工作状态与行输出管基本相同，所以，对它的耐压、所能承受的最大正向脉冲电流及开关时间等要求与行输出管是一致的。选择阻尼二极管应关注以下主要参数。

(1)反向耐压要高

阻尼二极管要承受与行输出管基本相同的扫描逆程反峰高压。因此，选择阻尼二极管，其反向耐压PR要高，否则很难正常工作。

(2)最大正向脉冲电流要大

阻尼二极管是在扫描逆程结束的瞬间，由逆程振荡电压使它导通的，所以最大正向脉冲电流与行输出管基本相同。

(3)反向恢复时间要小

为使阻尼二极管能很好地阻尼振荡，并在偏转线圈中形成正程扫描的锯齿波电流，要求乙越小越好。这样可以减少泄放时间，使逆程期间的偏转线圈中存储的能量通过阻尼很快泄放掉。