ICP干法刻蚀系统技术指标
1*10-6pa。
ICP干法刻蚀系统造价信息
ICP干法刻蚀系统。 2100433B
ICP干法刻蚀系统技术指标常见问题
ICP干法刻蚀系统技术指标文献
干法刻蚀工艺总结
干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机（ IBE-150A） 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子， 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击， 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体， 然后由栅极将离子呈束状引出并加速， 具有一定 能量的离子束进入工作室， 射向固体表面撞击固体表面原子， 使材料原子发生溅 射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。 技术指标： 装片：一片六英寸衬底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽气速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度： 2×10-4Pa 离子能量： 300eV-400eV ICP 刻蚀机（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解， 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面， 对样品表面既进行化学
第二章干法刻蚀的介绍
第二章干法刻蚀的介绍 2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2. 1 .1关于刻蚀 刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基 本目的，是在涂胶 (或有掩膜 )的硅片上正确的复制出掩膜图形 [1]。 刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。 我们通常通过刻蚀， 在光刻工艺之后，将想要的图 形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。 在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层 )将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀， 可作为掩蔽膜， 保护硅片上的部分特殊区域， 而未被光刻胶保护的区域， 则被选择性的刻蚀 掉。 2.1.2 干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀， 是利用气态中产生的等离子体， 通过经光刻而开出的掩蔽层窗口， 与暴露于 等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的
1. 反应腔室本底真空： < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小时后 2. 反应腔室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 3. 预真空室本底真空： < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 预真空室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 5. 样片操作： 不同设置：样片进/出 6. 气路系统： 测试所有质量流量计（设定值10%, 50%, 90%） 7. 压力控制： 压力计/控制阀，不同压力 8. 下电极温度控制： 不同设置，-30oC~ 200oC（带循环冷却器Chiller）或RT~ 250oC（外接冷却水） 9. 等离子体测试： 不同设置（Ar或N2） 10. 反射功率： ≤ 1%，ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W，ICP功率 < 500 W 11. 其他： 安全互锁、运行工艺处方（Recipe）等 12. SiC刻蚀工艺 Cr掩膜 刻蚀深度：≥ 2 μm 刻蚀速率：≥ 400 nm/min 选择比：≥ 40:1 （SiC: Cr） 片上不均匀性：在50 mm范围内 ≤。
主要功能：等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀部位，与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
ICP年检
目录ICP年检的定义ICP办理展开ICP年检的定义ICP办理展开
编辑本段ICP年检的定义
根据《中华人民共和国电信条例》、《电信业务经营许可证管理办法》、《电信设备进网管理办法》的有关规定，已取得各省地区直辖市电信增值业务经营许可证的经营单位，对取得信息产业部颁发的跨地区电信业务经营单位的各地区分支机构以及获得电信设备进网许可证生产企业和持证单位在每年的规定时间内进行再次备案。
以2010年ICP年检为例
参检单位
（一）2009年9月30日以前获得各省市自治区直辖市通信管理局颁发的增值电信业务经营许可证的经营单位须参加年检。
（二）2009年9月30日以前获得信息产业部颁发的跨省经营增值电信业务经营许可证并在北京市通信管理局办理了备案核准手续的经营单位须参加年度检查。
报送年检的有关材料要求
参加年检单位需报送的材料（请一律使用A4纸打印，持多个业务许可的单位请备齐材料一次报送）。
（一）报送增值电信业务经营许可证年检报告\业务年检报表（网上下载，用计算机填写法人签字并加盖公章）
（二）增值电信业务经营许可证原件（参加过年检的单位需持年检合格通知书。）
（三）工商营业执照副本复印件
（四）公司2009年度财务会计报告（损益表、现金流量表、资产负债表）
（五）公司经营报告：内容包括
2008年公司电信业务经营情况整体回顾
2008年公司新增电信业务或栏目、对电信市场环境的情况分析
2009年公司业务发展规划。
（六）2009年度电信业务经营许可证年检调查问卷。
凡未参加年检或年度检查的，将视为自动放弃并将按有关规定对所发许可和备案进行注销处理。
年检时间：年检工作将从2010年3月1日开始到2010年3月31日止。
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