覆晶封装技术

LED 封装技术大全 LED封装所驱动的功率大小受限于封装体热阻与所搭配之散热模块 (Rca) ，两者决定 LED的 系统热阻和稳态所能忍受的最大功率值。 为降低封装热阻， 业者试图加大封装体内 LED晶粒 分布距离， 然 LED晶粒分布面积不宜太大， 过大的发光面积会使后续光学难以处理， 也限制 该产品的应用。 不可一味将更多的 LED晶粒封装于单一体内， 以求达到高功率封装目的， 因 为仍有诸多因素待考虑，尤其是对于应用面。 多晶粒封装材料不断发展 随着 LED封装 功率提升，多晶粒封装 (Multi-chip Package)成为趋势，传统高功率 LED 封装多采用塑料射出之预成型导线架 (Pre-mold Lead Frame) 方式 (图 1a)，封装载体 (Carrier) 又称为芯片承载 (Die Pad)，为一连续的金属块，已无法满足多晶粒串接之电性需 求，电性串并联方式直

大功率 LED 封装技术 导读 : 在现在 LED 技术中，封装技术起 到很关键的作用个，作为 LED 产业中承上 启下的封装技术， 它的好坏对下游产业的应 用十分关键，现在将对 LED 的封装技术做 一下介绍。 o 关键字 o (四)、封装大生产技术 晶片键合 (Wafer bonding) 技术是指晶 片结构和电路的制作、封装都在晶片 (Wafer) 上进行，封装完成后再进行切割， 形成单个的晶片 (Chip); 与之相对应的晶片 键合 (Die bonding) 是指晶片结构和电路在 晶片上完成后，即进行切割形成晶片 (Die)， 然后对单个晶片进行封装 (类似现在的 LED 封装工艺 )，如图 8 所示。很明显，晶 片键合封装的效率和质量更高。由于封装 费用在 LED 器件制造成本中占了很大比 例，因此，改变现有的 LED 封装形式 (从 晶片键合到晶片键合 )，将大大降低封装制