半导体激光二极管

半导体激光二极管(LD)是一种用来构建光通信系统的与光纤配套使用的激光器,它能直接作为光通信用光源,也可以作为激光器、放大器的泵浦源,在激光工程研究领域有着十分重要的地位。它具有半导体器件的特点:体积小、结构简单、效率高、能直接调制,但输出功率、单色性和方向性不如其他激光器。

半导体激光二极管基本信息

中文名称 半导体激光二极管 时间 20世纪80年代中期

半导体激光二极管的常见参数

(1)波长:即激光管工作波长,目前可作方向张开的角度,一般在15~40左右。

(5)水平发散角Θ∥:激光的发光带在与PN结平行方向所张开的角度,一般在6~10左右。

(6)监控电流Im:即激光管在额定输出功率时,在PIN管上流过的电流。

半导体激光二极管的检测

(1)阻值测量法:拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正向电阻值已超过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。

(2)电流测量法:用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流超过100mA时,若调节激光功率电位器,而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。

半导体激光二极管的原理

为了了解激光型光电的工作原理,首先对半导体激光二极管的工作原理及其特点作一简单的介绍。

半导体激光二极管的基本结构如图1所示,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里--珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为Λ的光子,其公式如下:

Λ = Hc/Eg (1)

式中:H-普朗克常数;C-光速; Eg-半导体的禁带宽度。

上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时,一旦经过已发射的电子-空穴对附近,就能激励二者复合,产生新光子,这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大,则会形成和热平衡状态相反的载流子分布,即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下,少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射,造成选频谐振正反馈,或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时,就可从PN结发出具有良好谱线的相干光--激光,这就是激光二极管的简单原理。

半导体激光二极管造价信息

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20世纪80年代中期以来,半导体制造技术的发展以及与激光技术的结合,催生了半导体激光二极管,这类兼具半导体和激光器特性的激光源,具有更高的峰值功率和较低的能耗,且它的发射脉宽也较窄,本身不需要温度和光学补偿,比传统的发射光源具有明显的优势,并成为中紫外波段AlGaN发展的重点方向。因为该波段紫外辐射的激发效率最高,其输出效率也比较高。

为了使紫外线辐射源更为实用化,半导体紫外二极管发展的一个方向是大幅缩小现有紫外激光器及其电源的体积和功耗,另一个方向是开发发射波长为280nm、功耗小于10mW的发光二极管以及发射波长为340nm、功耗小于25mW的激光二极管。

半导体激光二极管以其体积小,重量轻,价格低,寿命长,耗电少及频率可快速调谐等优点,已经在国民经济和一系列高科技领域获得了广泛应用。然而,此种激光器的工作波长与其工作温度、注入电流之间有着强烈的依赖关系,例如,对近红外线半导体激光二极管,工作温度引起的变化约为013nm/K,注入电流引起的变化约为0103nm/mA。同时,工作温度和注入电流的变化还会导致半导体激光二极管输出功率的不稳定。

对于某些高科技领域应用,例如近些年发展起来的相干光纤通讯,对作为发送光源和外差检测的本振光源所用的半导体激光器的频率稳定性有很高的要求,同时,还要求其输出频率可调。又如,在极受重视的激光探潜和大量的激光光谱和原子分子物理研究中,都要求半导体激光器的频率非常稳定。因此,对半导体激光二极管的注入电流和工作温度的精密控制,并在此基础上对激光器的输出频率进行锁定稳频的技术研究就成为非常必要的。

半导体激光二极管常见问题

  • 半导体激光二极管原理是什么?

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  • 半导体激光二极管原理是什么?

    通过PN结电注入泵浦的方式实现受激发射的半导体器件。它具有半导体器件的特点:体积小、结构简单、效率高、能直接调制,但输出功率、单色性和方向性不如其他激光器。 实现受激发射的三个要素是:激光材料、粒子...

  • 半导体激光二极管中为什么出现了杂光

    质量不好吧,要求退换

半导体激光二极管文献

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由半导体单晶片到制成最终成品如半导体激光二极管、半导体光电二极管、半导体传感器等半导体器件的工厂。

近红外半导体激光和发光二极管的发射波长为0.8~1.0μm。近红外半导体激光二极管主要用于光纤通信和作为固体激光器的泵浦源(替代闪光灯泵浦源)。在1.3μm和1.55μm近红外半导体激光二极管商品化之后,其发展势头受到很大影响,甚至出现了停止发展的迹象。随着短距离局域网和二极管泵浦固体激光器的迅猛发展,又出现了新的发展。当前研究开发主要集中在单频工作、模式稳定以及提高输出功率等方面。近红外发光二极管主要有超发光二极管和谐振腔发光二极管。超发光二极管是光纤陀螺仪的最佳自选光源,与一般的发光二极管相比,可提供较高的输出功率和相对窄的发射谱。当前,在50mA工作电流下,单管超辐射输出功率的研究水平最高达到50MW,最窄谱宽为15nm。谐振腔发光二极管是一种有前途的发光二极管,其实验和理论效率比传统发光二极管高5~10倍。

1.3μm和1.55μm近红外半导体激光和发光二极管是现行通信系统、高速光纤通信系统的重要光器件,已成为广为研究开发的光源。日本NEC已开发出在单晶片上制造不同发射波长的近红外激光二极管,采用它可大大降低多波长长途通信设备的价格。这几年来,国外又相继开发出半导体孤子激光器、量子阱线或点激光器和垂直腔表面发射激光器等新型半导体激光二极管。

激光技术是一项前沿科学技术发展不可缺少的支柱。作为光电子主导产品的激光器的发展,经历了原理上的四次变革,体积日益变小,功率不断增大,可靠性和功率得到了很大的提高。半导体二级管激光器和固体激光器技术和发展十分迅速,其中最为突出的进展是固态化。现今,固体激光器的平均输出功率已从百瓦级提高到了千瓦级。半导体激光器的功率也有很大提高,其结构和其他性能也正在经历重大变化。与此同时,还开发出了实用价值高的新波长和宽带可调谐激光器,包括对人眼无伤害的1.54μm和2μm的激光器、蓝光激光器和X光激光器。

光纤是随着光通信的发展而不断发展的,各种结构和类型的光纤支持着光通信产业的发展。当前,单根光纤传输的信息量已达到万亿位。光纤作为光通信信息传输的介质,它的色散和损耗将直接影响到通信系统的传输容量和中继距离,而常规的单模光纤已不能满足新一代通信技术的要求,因此光纤技术又有了新的发展。迄今,光纤已经经历了由短波长(0.85μm)到长波长(1.3~1.55μm),由多模到单模光纤以及特种光纤的发展过程,并开发出了色散移位光纤、非零色散光纤和色散补偿光纤。

平板显示(FPD)技术包括液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)、电致发光显示(EL)、真空荧光显示(VFD)和发光二极管显示(LED)等,除在民用领域的广泛应用外,已在虚拟显示、高清晰度显示、语言和图形识别等军用领域应用。这几年来,液晶显示以及其他平板显示器件和技术正在大力地改进,如为解决等离子体显示发光效率、亮度、寿命、光串扰和对比度等问题,正在进行诸如大面积精细图形制作和保护层等工艺方面的改进,并取得了较快进展。从整体来说,平板显示技术将继续向着彩色化、高分辨率、高亮度、高可靠、高成品率和廉价方向发展。

随着半导体技术的迅速发展,各种类型的光电探测器,如电荷耦合器件、光位置敏感器件、光敏阵列探测器等应运而生,取得了重大进展。进入90年代,光电探测器的发展方向除了开发高速响应光电 探测器外,其重点是开发焦平面阵列为代表的光电成像器件。红外焦平面阵列制作技术的日臻完善,使红外探测技术进入了第二代。当前,降低成本是红外探测器在民用领域得到广泛应用的关键。21世纪,红外焦平面阵列开发方向,一是在现有基础上提高分辨率,二是开发多功能和智能化焦平面阵列。

随着光通信、光信息处理、光计算等技术的发展,加之材料科学和制造技术的进展,使得在单一结构或单片衬底上集成光学、光电和电子元器件成为可能,形成具有单一功能或多功能的光电子集成回路(OEIC)和集成光路(IOC)。当前,商品化的集成光路产品有调制器、开关和分路器以及采用集成光路相干通信系统、光纤陀螺、激光光纤多普勒干涉仪等系统,以及用于光纤传输试验的单片集成光电子集成回路。预计到2020年,光电子集成回路和集成光路的发展速度将相当于20世纪70年代的微电子技术,多功能集成光学器件和光电子集成器件将系列化,集成光学信号处理速度将达到1GHz。

我国光电子行业在科研上起步较早,也有一批水平较高的应用成果,其中光纤通信的发展尤快。在国防上的应用也开展较早,如靶场用的激光、红外、电视等光测设备,以及红外导引装置、红外热像仪、激光测距仪、微光夜视仪等。但民用市场开发较晚,真正能形成较大生产规模的产品不多。 我国在"八五"计划期间对一些光电器件企业进行了技术改造,已在"九五"计划中产生了效益。例如,12英寸彩色液晶显示屏已经在1996年投产。国家重大成套通信设备2.5Gbps同步数字系列(SDH)光通信系统,于1997年研制开发成功,现已广泛应用于国家通信骨干网的建设。

鉴于上述情况,中国光电子技术发展战略总的指导思想是:有限目标、突出重点、科技领先、形成规模、开拓市场,在"八五"、"九五"计划基础上,使有基础的企业和研究所分别形成规模生产和研究开发中心,使我国光电子元器件初步形成基本配套的产业,满足市场的需要。

1光纤通信与光电子器件

1.1光纤通信系统简介

1.2光发射机

1.3光调制器

1.4光纤(缆)

1.5光放大器

1.6光接收机

1.7光无源器件

2发光二极管和发光二极管组件

2.1发光二极管结构和基本工作原理

2.2发光二极管特性及测试方法

2.3高速发光二极管

2.4超辐射发光二极管

2.5LED组件

3半导体激光二极管和激光器组件

3.1半导体激光二极管的应用和分类

3.2法布里-珀罗型激光二极管

3.3分布反馈激光二极管和分布Bragg反射器激光二极管

3.4量子阶激光器

3.5垂直腔面发射激光器

3.6激光器组件

3.7激光二极管和激光器组件的常用参数及其测试方法

4光电探测器和光接收组件

4.1PN结光电二极管

4.2肖特基光电二极管

4.3集成光学光电探测器

4.4光接收组件

4.5常用参数及其测试方法

5光发射接收模块

5.1光发射接收模块的含义

5.2光发射模块

5.3光接收模块

5.4光收发一体模块

5.5集成光学收发模块

6光纤激光器和光放大器

6.1光纤激光器的基本工作原理和优点

6.2各种光纤激光器

6.3光放大器的种类和比较

6.4掺铒光纤放大器

6.5镨掺杂光纤放大器

6.6铥掺杂光纤放大器

6.7拉曼光纤放大器

6.8半导体光放大器

6.9光纤放大器的特性参数和使用注意事项

7光调制器

7.1调制器在纤维光学链路中的作用

7.2光调制器的基本原理

7.3LiNbO3光调制器

7.4半导体光调制器

7.5聚合物波导光调制器

7.6光调制器主要参数和使用光调制器需要了解的问题

8光开关

8.1机械式光开关

8.2液晶光开关

8.3电光效应光开关

8.4热光效应光开关

8.5半导体光放大器光开关

9DWDM用光发射和接收器件

9.1DWDM系统结构与工作原理

9.2DWDM对光收/发器件的要求

9.3固定波长激光器

9.4波长可调激光器

9.5MQW电吸收调制器集成DFBLD

9.6Supercontinuum光源

9.7DWDM用光探测器

10用户接入系统光收发器件与模块

10.1用户接入网系统结构与工作原理

10.2用户接入网的主要光电子器件

10.3光接入系统用组件(模块)

11光电子器件封装技术

11.1光发射和接收器件封装

11.2光收发一体模块的封装结构

11.3高速光电子器件封装

11.4光电器件微型化封装

11.5无源对准技术

11.6石英平面光路器件的封装技术

11.7光表面安装技术

11.8光电子多芯片组件封装技术

12操作光电子器件时的注意事项和预防措施

12.1操作激光二极管时的注意事项和预防措施

12.2操作光电二极管时的注意事项和预防措施

12.3操作光电器件时的共性注意事项及预防措施

13光电子器件的质量/可靠性保证规程

13.1光纤环路应用和可靠性保证概述

13.2激光二极管和激光器组件的质量/可靠性保证规程

13.3发光二极管及其组件的质量/可靠性保证规程

13.4光探测器及其组件的质量/可靠性保证规程

附录光电子器件/组件实例

参考文献

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