(三 )DMD 芯片显示原理的介绍 DMD 精微 反 射镜面 是 一种 整合 的 微机电上 层结构 电 路单 元 (MEMS superstructure cell)，它是利用 CMOS SRAM 记忆晶胞所制 成。DMD 上层结构的制造是从 完整 CMOS 内存电路开始，再透过光罩层的使用，制造出铝金属层和硬化光阻层 (hardened photoresist) 交替的上层结构，铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链 (hinge)、轭 (yoke) 和反射镜，硬化光阻层则 作为牺牲层 (sacrificial layer)，用来形成两个 空气间 (air gaps)。铝金属会经过溅镀沉积 (sputter-deposited) 以及电浆蚀刻 (plasma-etched) 处理，牺牲层则会经过电浆去灰 (plasma-ashed) 处理，以便制造出层间的
第五节、电子原器件原理 1、74HC245 1脚为 控制端， 19脚为使能端； 当 1脚为高电平、 19 脚低为低电平时信号 从 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8 、 9 脚输 入； 18、17、16、15、14、13、12、11 脚 输出信号； 当 1脚为低电平、 19 脚低为低电平时信号 从 18、17、16、15、14、13、12、 11脚输入； 2、 3 、 4、 5、 6、 7 、 8、 9 位输出信号； 10脚为 GND，20 脚为 +5V；（输入信号从排针上来， 一般为红；绿；锁存；时钟；使能； A B C D 信号；这些信号一般分到 2个 245 的针脚上， 然后输出到 595 （红；绿；锁存；时钟） ；138（A B C D）；和输出的排针上（锁存；时 钟） 2、74HC138 3 线— 8线译码器 HC138有三个地址输入 （A0-A2），三个
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