本文用分子轨道法处理半导体化合物靶中射程参数问题,提出了理论模型和计算方法. 处理中发现Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏离偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈负偏离偏差.且发现偏离系数γ只与靶的化学键有关,而在一定的能量范围内,与注入能量及离子的关系不大. 对于呈闪锌矿和纤锌矿的半导体化合物,本文用sp~3杂化轨道处理它们的约化重叠积分S_(AB)问题,得出了普适的离子性△与γ系数关系,发现Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈负值,这是引起γ不同的主要原因之一. 文内对呈负偏离的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系统,正偏离的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系统的 Se(E)和射程参数 R_p等实测值与计算值作了比较,均得到了满意结果.
从聚合物合成方法、钻井液对高分子处理剂性能的要求出发,讨论了高分子钻井液处理剂的分子设计,认为高分子处理剂的链结构、官能团、相对分子质量和官能团比例是设计的重点。从发展的角度看,将来分子设计要围绕提高处理剂的抗温能力,并针对深井、超深井钻井的需要,通过分子修饰提高已有高分子处理剂的综合性能,深化天然产物的化学改性研究,开发高性能、低成本钻井液处理剂。
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