MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
1 / 2 工艺流程 一、石材抛光工序石材抛光的工序： 大理石翻新 50m-100m-300m-500m-800m-1500m-3000m 大理石抛光 50m-100m-300m-500m-800m-1500m-3000m 根据情况石材加密 →云石胶修补 →除锈→墙体防护→木地板门口防护 →云石 胶清理，除锈清理 →粗磨→半细磨→细磨→精磨→晶面抛光粉研磨 ——收水晾干 →晶面剂铁丝棉研磨 →墙角等位置手工研磨 →物品恢复完成 石材抛光一般按照粗磨 →半细磨→细磨→精磨→抛光的程序进行，也有的可 以省去其中的粗磨步骤，主要是看原来石材的表面是否经过初步处理。 准备工具和材料：齐峰大理石抛光粉 F-11、石材晶面机等。 二、大理石抛光流程大理石抛光工艺流程如下： 1 粗磨：要求打磨片吃刀量深，磨削效率高，磨削的纹路粗，磨出的表面较 粗糙，主要清除石材在前道工序中留有的锯片痕迹并将石材的平
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