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找一个低压大电流mos管
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2~4nm)短沟(0.13~0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.
典型开关MOS电流波形的精细剖析
反激开关 MOSFET 源极流出的电流（ Is）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反 激电源实测波形来分析一下。 问题一，一反激电源实测 Ids电流时前端有一个尖峰（如下图红色圆圈里的尖峰图）， 这个尖峰到底是什么原因引起的？怎么来消除或者改善？ 大家都知道这个尖峰是开关 MOS开通的时候出现的，根据反激回路， Ids电流环为 Vbus 经变压器原边、然后经过 MOS再到 Vbus形成回路。本来原边线圈电感特性，其电流不 能突变，本应呈线性上升，但由于原边线圈匝间存在的分布电容（如下图中的 C），在 开启瞬间，使 Vbus经分存电容 C到 MOS 有一高频通路，所以形成一时间很短尖峰。 下面再上两个英文资料，上面的 C在下图中等效于 Cp或者是 Ca 经分析，知道此尖峰电流是变压器的原边分布参数造成，所以要从原边绕线层与层指尖