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更新时间:2025.05.17
关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨

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文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAs基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。

导井正向扩掘法在长井施工中的应用

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在长井施工过程中,由于距离较长,作业条件有限,传统人工凿岩工艺存在较大的安全隐患,且施工效率较低。利用反井钻机在矿山应用的成熟经验,与传统人工正掘天井施工工艺相结合,提出以反井钻机施工导井+人工正向扩掘的施工工艺,经工程实践取得了很好的效率和效果,联合工艺具有广阔的推广应用前景。

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