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更新时间：2024.04.15
SuperMESH3功率MOSFET主要用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。620V的STx6N62K3是SuperMESH3系列的首款产品，后续产品有620V的STx3N62K3和525V的STX7N52K3和STX6N52K3。SuperMESH3技术可以降低导通电阻，在620V电压下，DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻降低到1．28Ω；在525V电压下，STD7N52K3把导通电阻降低到0．98Ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。
本文研究了开关电源中MOSFET漏源极电压电磁干扰的频谱特性,通过提取MOSFET漏源极时域电压信号的特征参数, 对其波形进行了仿真,分析了该信号电磁干扰的频谱特点,并分别研究了信号中各参数对频谱的影响,Matlab仿真表明,该研究结果对解决电磁干扰问题具有很好的参考和利用价值。
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