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更新时间:2024.04.13
IGBT模块的检测方法

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测试方法(晶川):万用表只能测量不全面:若 IGBT损坏一般可以测 出;但是若 IGBT是好的,它无法肯定是好的。 IGBT损坏:GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现二极管档有读数,即损坏。 (GE表示G接正表笔, E接负表笔;其他雷同) IGBT 的 EC 之间接有二极管,所以为导通态,电压为 0.34V左右。 若想完整测试 IGBT需要用晶体管图示仪。 IGBT损坏:GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现电阻档有读数, 即损坏。(GE 表示G接正表笔, E接负表笔;其他雷同) 新 IGBT 红表笔 -黑表笔 电阻档 二极管档 1-2 无穷大 断路 2-1 无穷大 断路 4-3 无穷大 断路 3-4 无穷大 断路 8-10 无穷大 断路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 无穷大 断路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 无穷大 断路 4-5 无穷

IR发布低温高速隔离式IGBT模块

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国际整流器公司推出全新 MTP 隔离式开关模块系列,专为大电流工业电源而设计,适用于高频弧焊机及不间断电源。它以氮化铝陶瓷层进行绝缘,在结点与外壳间发挥更佳导热性能。该绝缘层的热传导性(冷却能力)比用于同类器件的氧化铝基板高出7倍之多。新模块系列的额定电压为600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和优化的二极管结合在同一封装内,有助于节省空间和降低组装成本,可取代分立式解决方案。在该系列器件中,50MT060ULS 是一款全绝缘低侧斩波模块,内含一个 IR 超快 IGBT 和一个具超软逆恢复电流特性的 HEXFRED 二极管;50MTOboWH 是一款全绝缘半桥式模式,双 IGBT 设计可有效控制功率耗散和电流分配。此外,IR 还提供两款1200 V MTP 开关模块:全绝缘的20 MT120 UF 全桥式及40 MT120 UH 半桥式模块。它们可直接连接到大多数三相系统的直流总线。

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