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发光二极管主要参数与特性

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发光二极管主要参数与特性 WWW.LEDZX.COM发布日期: 2007-2-5 17:12:17 信息来源: LED 发光二极管主要参数与特性 LED是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。它具备 pn 结结型器件的电学特性: I-V 特性、 C -V 特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED芯片 pn 结制备性能主要参数。 LED的 I-V 特性具有非线性、整流性 质:单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。 如左图: (1) 正向死区:(图 oa 或 oa′段) a 点对于 V0 为开启电压,当 V<Va,外加电场尚克服不少 因载流子扩散而形成势垒电场,此时 R很大;开启电压对于不同 LED其值不同, GaAs为 1V, 红色 GaAsP为 1.2V,GaP为 1.8V,Ga

发光二极管的主要参数及测量方法

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发光二极管参数的测量 一 发光二极管的结构和基本原理 1 发光二极管的结构 发光二极管 ( light emission diode LED)图 1显示了 LED 的结构截面图。 要使 LED 发 光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料, 越过带隙的电子和空穴能够直接复合发射出 光子。为了使器件有好的光和载流子限制,大多采用双异质结( DH)结构。 2 LED 的基本工作原理 LED 是一种直接注入电流的发光器件, 是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能 级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁。当 LED 的 PN 结加上正向偏 压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光。值得注意的是,对于大量 处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为 ν =Eg/h 的光波,但各列光波之间 没有固定的相位关系, 可以有不同的偏振方向, 并且每个粒子所发射的光沿所

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