电力系统可控串联电容补偿
《电力系统可控串联电容补偿》是2009年科学出版社出版的图书，作者是周孝信。
电力系统可控串联电容补偿基本信息
| 书名 | 电力系统可控串联电容补偿 | 作者 | 周孝信 |
|---|---|---|---|
| 装帧 | 精装 | 开本 | 16 |
《电力系统可控串联电容补偿》是在大量科研工作的基础上，结合实际工程经验编写而成。它系统介绍了可控串补技术(thyristor controlled series compensation)的原理、计算分析模型和方法、控制策略、关键技术及工程应用。全书共分8章，主要内容包括:可控串补系统的潮流和稳定计算，小干扰稳定分析，过电压保护控制与绝缘配合计算，次同步谐振分析的模型和方法，可控串补系统稳定控制策略，可控串补测量、控制和保护系统，可控串补主要设备功能要求、关键技术及其系统设计。《电力系统可控串联电容补偿》的一大特点是内容丰富全面，注重理论在工程中的应用，不仅对可控串补的基本理论和系统分析有较深入的讨论，也对可控串补的装置设计和工程应用进行了较详细的阐述。 《电力系统可控串联电容补偿》可供从事电力系统规划设计、运行和科学研究人员参考，并可作为高等院校电力系统高年级学生和研究生的教材。
电力系统可控串联电容补偿造价信息
作 者: 周孝信 著
出 版 社: 科学出版社
ISBN: 9787030228758
出版时间: 2009-01-01
版 次: 1
页 数: 342
装 帧: 精装
开 本: 16开
所属分类: 图书>科技>一般工业技术
电力系统可控串联电容补偿常见问题
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可以直接套用，但是主材需要找差，也就是你说的那个文化砖，不论是比定额中的价格高还是底都要找差价的。 投标的时候
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串联电容器是一种无功补偿设备。通常串联在330kV及以上的超高压线路中，其主要作用是从补偿电抗的角度来改善系统电压，以减少电能损耗，提高系统的稳定性。
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以下就是电容补偿所需补偿容量的计算公式：tgφ1=√1－cos²φ1/cosφ1tgφ=√1－cos²φ/cosφQk=p(tgφ1－tgφ)(kvar)式中cosφ1: 补偿前的...
电力系统可控串联电容补偿文献
98式可控电抗器及其在电力系统中的应用
磁阀式可控电抗器及其在电力系统中的应用 作者： 王长善 学位授予单位： 山东大学 参考文献(54条) 1.徐基泰 电抗器品种及其发展 [期刊论文]-变压器 2000(1) 2.陈柏超 新型可控饱和电抗器理论及应用 1999 3.刘涤尘 .陈柏超 .田翠华 .郭俊华 新型可控电抗器在电网中的应用与选型分析 [期刊论文]-电网技术 1999(2) 4.周腊吾 .徐勇 .朱青 .朱英浩 新型可控电抗器的工作原理与选型分析 [期刊论文]-变压器 2003(8) 5.陈维贤 .陈禾 .刘艳村 .田翠华 .鲁铁成 高速响应新型可控电抗器 [期刊论文]-武汉水利电力大学学报 1999(2) 6.奚梅成 数值分析方法 1995 7.徐士良 .孙甲松 科学计算通用程序集 19
电力系统容性无功及补偿
电力系统供电网络中的输电线路及电缆,在运行中要产生容性无功。由于城网改造配电网络主要由高压电缆组成,高压电缆产生的容性无功严重影响配网的安全经济运行。为解决电力系统容性无功过补问题,我们从电力系统容性无功的产生机理进行分析,找出电力系统容性无功产生的特点及解决办法。结果表明电力系统容性无功功率取决于电网中输电线路及电缆的结构及长度,电网结构确定以后,它的容量相对固定,变化不大。因此对电力系统容性无功的补偿应相对固定并采用分散补偿和集中补偿相结合的原则进行配置。同时针对1 0 kV及35 kV小电流接地系统因接地电容电流增大引起的消弧线圈容量增大,运行可靠性降低问题,研制出了既有感性补偿又能减少接地电容电流的装置Y接电抗器灭弧装置,对它的原理构造,性能进行了介绍。
对存在于广域测量系统时滞影响的可控串联电容补偿器的H∞控制进行了研究，说明利用线性矩阵不等式进行H∞控制器设计的方法。仿真及分析表明，所设计的控制器具有很好的、对时滞的不敏感性，可以抑制外部干扰，保持电力系统的动态稳定。
可控硅分类
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
串联电容补偿调压：
串联电容补偿可用于配电网中进行局部调压。在距离较长的重载线路，因其调压作用是通过线路滞相电流流过串联电容而产生的电压升高来实现的。故线路负载愈重，功率因数愈低，串联电容补偿调压的作用愈显着。这种调压作用随线路负载的变化而变化，具有自行调节的功能。
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