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IGBT模块选择方法

IGBT模块选择方法

选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障. 动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。注意:若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

IGBT模块造价信息

市场价
信息价
询价

模块化机房

规格型号：
FusionModule800
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
华为
材料税率：
13%
供应商：
山东科普电源系统有限公司
报价时间：
2022-12-06

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PWJ蓄水模块

规格型号：
1200×600×600
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
华畅科技
材料税率：
13%
供应商：
河南华畅建筑科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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信号转接控制模块

规格型号：
DS-XHZHKZ-02(内部信号转换模块)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
江苏明朗
材料税率：
13%
供应商：
江苏明朗照明科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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雷达流量检测模块

规格型号：
雷达流量检测模块
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
海通
材料税率：
13%
供应商：
江苏海通交通集团有限公司南宁分公司
报价时间：
2022-12-06

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模块(模块箱)

规格型号：
1.名称:2防区报警模块2.其他:详见招标图纸及技术要求 DS7460i-CHI
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
博世
材料税率：
13%
供应商：
广州澳星电子有限公司
报价时间：
2022-12-06

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模块箱

规格型号：
MKX2-1
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
湛江市2005年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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输入模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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输出模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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输入模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
清远市2022年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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输出模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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IGBT模块

规格型号：
FF300R12KE3
需求量：
6139个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-08-10

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IGBT

规格型号：
2MBI300VH-170-50
需求量：
38块
报价数：
3
材料品牌：
Fuji
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2018-03-24

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选择阀

规格型号：
选择阀
需求量：
1个
报价数：
3
材料品牌：
深圳奥瑞那、泛海三江、海湾
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2018-06-07

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呼叫波音选择仪

规格型号：
呼叫波音选择仪
需求量：
2台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2010-04-01

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选择阀

规格型号：
选择阀
需求量：
20个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-06-10

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igbt模块选择方法

igbt模块选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 igbt模块测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

igbt模块发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n 缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，继而变化成弱穿通(LPT)结构，这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。 这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

IGBT模块选择方法常见问题

IGBT模块与IGBT单管有什么不同

IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P...
如何检测变频器igbt模块的好坏

用万用表测量变频器IGBT模块好坏的具体步骤：为了人身安全，首先必须确保机器断电，并拆除电源线R 、S、T和输出线U、V、W后放可操作！(1)先把万用表打到“二级管”档，然后通过万用表的红色表笔和黑色...
为什么说IGBT单管没有IGBT模块稳定

1、IGBT单管的散热条件没有IGBT模块的散热条件好；2、就制作来说，IGBT模块的一致性比IGBT单管的一致性好。

IGBT模块简介

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

igbt模块简介

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点： 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 6. 检测IGBT模块的的办法。

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点: 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ，常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 6. 检测IGBT模块的的办法。

IGBT模块选择方法文献

IGBT模块的检测方法

IGBT模块的检测方法

IGBT模块的检测方法

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大小：294KB

页数： 8页

测试方法（晶川）：万用表只能测量不全面：若 IGBT损坏一般可以测出；但是若 IGBT是好的，它无法肯定是好的。 IGBT损坏：GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现二极管档有读数，即损坏。（GE表示G接正表笔， E接负表笔；其他雷同） IGBT 的 EC 之间接有二极管，所以为导通态，电压为 0.34V左右。若想完整测试 IGBT需要用晶体管图示仪。 IGBT损坏：GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现电阻档有读数，即损坏。（GE 表示G接正表笔， E接负表笔；其他雷同）新 IGBT 红表笔 -黑表笔电阻档二极管档 1-2 无穷大断路 2-1 无穷大断路 4-3 无穷大断路 3-4 无穷大断路 8-10 无穷大断路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 无穷大断路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 无穷大断路 4-5 无穷

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IR发布低温高速隔离式IGBT模块

IR发布低温高速隔离式IGBT模块

IR发布低温高速隔离式IGBT模块

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大小：294KB

页数： 1页

国际整流器公司推出全新 MTP 隔离式开关模块系列,专为大电流工业电源而设计,适用于高频弧焊机及不间断电源。它以氮化铝陶瓷层进行绝缘,在结点与外壳间发挥更佳导热性能。该绝缘层的热传导性(冷却能力)比用于同类器件的氧化铝基板高出7倍之多。新模块系列的额定电压为600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和优化的二极管结合在同一封装内,有助于节省空间和降低组装成本,可取代分立式解决方案。在该系列器件中,50MT060ULS 是一款全绝缘低侧斩波模块,内含一个 IR 超快 IGBT 和一个具超软逆恢复电流特性的 HEXFRED 二极管;50MTOboWH 是一款全绝缘半桥式模式,双 IGBT 设计可有效控制功率耗散和电流分配。此外,IR 还提供两款1200 V MTP 开关模块:全绝缘的20 MT120 UF 全桥式及40 MT120 UH 半桥式模块。它们可直接连接到大多数三相系统的直流总线。

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IGBT功率模块igbt功率模块的特点

igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高(可达20khz)，这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2v)的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。

IGBT功率模块igbt功率模块的应用

igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中，单个元件电压可达4.okv(pt结构)一6.5kv(npt结构)，电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。

IGBT功率模块特点

igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。

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